饱和电压(drain saturation voltage， Vdsat)是指晶体管漏电流开始不再受Vds变化的影响所对应的Vds，Vdsat并不是晶体管的一个实际电压值，只是用来判断离饱和区临界还有多少余量。任何情况下，Vds和Vdsat的关系都是用来判断晶体管是否工作在饱和区。若将晶体管Vgs和W/L固定，并对其漏电流id从小到大进行扫描，管子将依次工作在线性区、饱和区，饱和电压Vdsat几乎保持不变。线性区时Vds与Vdsat的差值小于0，region=1 饱和区时Vds与Vdsat的差值大于0，region=2。
饱和电压怎么算
uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。
uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。
此外，三极管的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。
三极管Uces：饱和状态工作时，发射结和集电结都处于正偏，则导电很好、电流较大，这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量。
三极管的主要参数：
特征频率：当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。
fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。
电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE：电流放大倍数。
VCEO：集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。
PCM：最大允许耗散功率。
