aod403是P沟道增强型MOS场效应管，在工作时，它的栅偏电压的极性与漏极电压的相同，在电路设计中较为方便，在高速、低功耗电路中广泛应用。
aod403场效应管资料：
漏源击穿电压：30V
漏源电流：85A
耗散功率：2.5W
输入电容：5300pF（15V）
栅源电压：±25V
工作温度：-55°C~175°C
安装类型：表面贴装
封装：TO-252
主板供电场效应管 RFP30P06 -60V 30A SHD -60V 50A SSD40P04-20D -40V 36A AOD403 -30V -85A AP40P03GH -30V -30A AP6679H -30V -75A FDD6637 -35V -55ANDB6030PL -30V -30A 以及P100P03 ，D50P03，SPB80P06P，IRFR5305，APM3020P，CED95P04买相同封装外形的即可。 或者：IRF4905S - Power MOSFET(Vdss=-55V， Rds(on)=0.02ohm， Id=-74A)
