场效应管的开启电压为一般约为正2V。 场效应管是场效应晶体管，简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
不同场效应管的开启电压是不同的，低的3-5V，高的5-10V，具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册。
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10的七次方～10的15次方Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET英文为FieldEffectTransistor，简写成FET。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）
（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数
（5）场效应管的抗辐射能力强
（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
