金刚石材料具备载流子迁移率高、载流子饱和漂移速率大、击穿场强大等特性，是制造大功率、高温、高频器件的理想材料，由于它的带隙宽、热导率高、击穿电场强、极高的电荷迁移率（CVD金刚石的电子迁移率>3000cm2/V.s），使得金刚石半导体器件能够在高频、高功率、高电压以及强辐射等十分恶劣的环境中运行，被称为“终极半导体材料”。
此外，从紫外到远红外很宽的波长范围内金刚石具有很高的光谱透射性能，是大功率红外激光器和探测器的光学窗口材料。同时，它又具有抗酸、抗碱、抗各种腐蚀气体侵蚀的性能，是优良的耐蚀材料。
