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三星的固态硬盘基本都是TLC闪存
TLC:每个cell单元存储3bit信息,电压从000到001有8种变化,容量比MLC再次增加1/3,成本更低,但是架构更复杂,P/E编程时间长,写入速度慢,P/E寿命也降至1000-3000次,部分情况会更低。寿命短只是相对而言的,通常来讲,经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。
三星750EVO使用的并非3D V-NAND闪存,而是2D 16nm TLC,来自于三星原厂,在制造工艺上依旧保证了三星闪存一贯的高品质,在性能与寿命上并没有缩水。
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