化合物半导体磷化铟镓(GaP)，电学性质优越。
磷化镓是第二代半导体材料，广泛应用于光通信、集成电路等领域。
5G 时代技术革新带来以磷化镓（GaP）、砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体材料的蓬勃发展。
半导体材料按照物理性质可以划分三代，分别是以 Si、Ge 为代表的第一代，GaP、lnp、GaAs 为代表的第二代，GaN、SiC 为代表的第三代。
磷化镓（GaP）是一种 III~V 族化合物，闪锌矿型晶体结构，晶格常数为 5.87×10-10 m，禁带宽度为 1.34 eV，常温下迁移率为 3000~4500cm2/(V.S)。
GaP 晶体具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高等诸多优点。
被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。
