半导体退火炉原理

退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。

原理：气体退火窑减去焚烧室，直接用气体焚烧器将焚烧注入加热室。为了削减耗能，气体退火窑常设置换热体系，将空气转化为助燃热风作为气体焚烧