二极管的Ubr是指反向击穿电压。
半导体二极管的参数:
1、最大整流电流If:二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值(PN结正向偏置特性)。
2、反向击穿电压Ubr:二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压。
3、最大反向工作电压Urm:为安全起见，在实际工作时， 最大反向工作电压Urm一般只按反向击穿电压Ubr的一半计算。
4、反向电流Ir:反向电压小于最大反向工作电压时的它的电流。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级锗二极管在微安(uA)级。硅二极管的反向特性比锗好些。
5、正向压降Uf:在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6~0.8V锗二极管约0.2~0.3V。
6、动态电阻rd:反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即rd=△Vf/△If。
UBR是英文breaking reverse voltage的缩写，中文意思是可使毁坏的反向电压，就是反向击穿电压。
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。
